晶合集成获得发明专利授权：“半导体器件及其制造方法”

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证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体器件及其制造方法”，专利申请号为CN202511871947.4，授权日为2026年3月24日。

专利摘要：本申请涉及一种半导体器件及其制造方法，包括：提供衬底，衬底上形成有栅介质层；于栅介质层上依次形成高阻部件和第一掩膜层，第一掩膜层覆盖高阻部件和栅介质层，且第一掩膜层内形成有暴露部分高阻部件的第一开口；基于第一掩膜层刻蚀高阻部件及部分栅介质层，以形成贯穿高阻部件并延伸至栅介质层内的凹槽；进行外延生长工艺，使外延生长后的高阻部件填满凹槽中高于栅介质层的部分，并于凹槽中位于栅介质层内的部分形成气隙；形成至少覆盖高阻部件的保护层，并进行离子注入工艺以形成高阻结构，高阻结构包括气隙和经过离子注入的高阻部件；去除保护层。本申请降低了高阻部件和衬底间产生寄生PN结或电容的概率，提高了半导体器件的性能。

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今年以来晶合集成新获得专利授权129个，较去年同期增加了72%。结合公司2025年中报财务数据，2025上半年公司在研发方面投入了6.95亿元，同比增13.13%。

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通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了10家企业，参与招投标项目638次；财产线索方面有商标信息75条，专利信息1523条，著作权信息9条；此外企业还拥有行政许可22个。

数据来源：天眼查APP

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